主要研究了硫化鎢(WS₂)/硫化鉬(MoS₂)薄膜異質結的制備及其光電特性。首先以WS₂粉末為原料,采用化學氣相沉積(CVD)法在Si襯底上沉積WS₂薄膜,然后以MoS₂粉末為原料在WS₂薄膜表面沉積MoS₂薄膜形成WS₂/MoS₂異質結。利用原子力顯微鏡(AFM)觀察發現制備的WS₂和MoS₂薄膜大面積均勻,表面分布密集的納米粒子,高度分別約為0.8 nm和50 nm。WS₂/MoS₂異質結對可見光有良好的吸收特性,并隨光功率的增加,流過異質結的光電流也顯著增加。另外,還發現WS₂/MoS₂異質結在溫度和工作頻率改變時I-V曲線也出現明顯變化。隨溫度升高,流過異質結的電流顯著增加,而隨工作頻率的增加,異質結的電容迅速減小。以上研究結果表明,WS₂

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結果與討論
3 結論



本文編號：3995046