本文關(guān)鍵詞：IC制造中硅片化學(xué)機械拋光材料去除機理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

大連理工大學(xué) 博士學(xué)位論文 IC制造中硅片化學(xué)機械拋光材料去除機理研究 姓名：蘇建修 申請學(xué)位級別：博士 專業(yè)：機械制造及其自動化 指導(dǎo)教師：郭東明;康仁科 座機電話號碼 大連理一[大學(xué)博士學(xué)位論文 摘 要 集成電路 IC 是信息產(chǎn)業(yè)的技術(shù)基礎(chǔ)，是推動高新技術(shù)發(fā)展的核心驅(qū)動力�；瘜W(xué) 機械拋光 chemicalmechanical 和局部平整度，在超大規(guī)模集成電路 ULSI 制造中，它不僅在材料制備階段用于加工 單晶硅襯底，而且也是多層布線金屬互連結(jié)構(gòu)工藝中理想的層間平坦化方法。目前，CMP 技術(shù)已成為ULSI時代最廣泛使用的平坦化技術(shù)。 CMP過程的精確控制在很大程度上取決于對其材料去除機理的認識和理解，但是， 目前對CMP的材料去除機理、材料去除非均勻性形成機理、CMP過程變量和技術(shù)等方 面的許多問題還沒有完全弄清楚，在很大程度上人們還是通過經(jīng)驗或半經(jīng)驗的手段控制 CMP過程。隨著芯片特征尺寸的不斷縮小和芯片集成度的不斷提高，對CMP技術(shù)提出 了更高的要求，目前的CMP技術(shù)水平已不能滿足下一代Ic芯片制造的工藝要求。探索 ch誣機理是提高CMP技術(shù)水平的重要基礎(chǔ)研究工作。 本文從接觸、摩擦、磨損、磨粒運動軌跡方面對硅片化學(xué)機械拋光材料去除機理進 行細致研究，主要研究工作如下： 1 根據(jù)摩擦和磨損理論，提出了硅片與拋光墊之間的接觸形式判別方法，研究 了CMP過程中硅片表面材料摩擦和磨損行為，結(jié)果表明：硅片與拋光墊的接觸形式是 實體接觸，，拋光壓力完全由拋光墊微凸峰承擔(dān)，硅片表面的潤滑狀態(tài)為化學(xué)邊界潤滑。 2 根據(jù)硅片CMP特性，建立了CMP過程中作用于硅片表面的摩擦力及摩擦力 分布的理論模型，并通過實驗證明了所建立模型的正確性。在此基礎(chǔ)上

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