廢水處理中非均相中性催化氧化體系的研究
發布時間:2020-03-29 13:52
【摘要】:基于HO·的非均相中性催化氧化體系的研究,對于難降解類工業廢水的處理具有重要意義。一方面通過催化劑的固化,減少金屬離子的流失,降低固廢量;另一方面拓寬pH適用范圍,提高中性條件下廢水處理效果,反應后的水樣不需要調節酸堿直接出水,降低生產成本。圍繞表面吸附-催化氧化的機理,通過合成高活性的Fe3O4納米催化劑以及Ti離子有效摻雜的Fe2.5Ti0.504催化劑,成功實現了中性條件下對絡合劑乙二胺四乙酸二鈉(EDTANa2)和陽離子型染料亞甲基藍(MB)的有效降解;對于苯酚類對自由基有猝滅效果的化合物,中性非均相催化氧化體系因產生的自由基活性低,處理效果較差。通過O3的引入,利用O3和H2O2-Fe3O4/SiO2體系之間的協同作用,實現了中性條件下對于苯酚類芳香族化合物的有效降解。由于化學氧化法完全降解水體中的有機物往往成本較高,因此采用適度化學氧化法提高廢水的可生化性,處理后廢水進一步生化處理,這種化學氧化-生物法聯用技術,是一種經濟高效的處理方法,在實際工業廢水處理領域有很大的應用價值。本文主要內容和結論包括以下三個部分:1、用改進的Massart方法合成高活性的納米Fe3O4催化劑,中性條件下H2O2-Fe3O4體系對難降解絡合劑EDTANa2的COD去除率與相同氧化劑量pH3條件下Fenton反應效率相當,實現了中性情況下非均相催化氧化;探討了H2O2-Fe3O4體系表面吸附-催化氧化的反應機理,表面吸附對于催化氧化過程有促進作用;采用電子順磁共振技術(ESR)捕捉反應過程中活性中間體HO·。2、采用同晶替換的方法合成Ti離子摻雜Fe3O4催化劑,考察不同Ti離子摻雜量對催化劑活性的影響,確定最優摻雜量催化劑Fe2.5Ti0.5O4:針對H2O2-Fe3O4體系處理效果較差的陽離子型染料MB廢水,H2O2-Fe2.5Ti0.5O4催化氧化體系可在中性條件下實現有效降解,COD去除率與相同氧化劑量pH 3條件下Fenton反應效率相當;研究發現H2O2-Fe2.5Ti0.5O4催化降解MB過程符合準一級動力學方程,反應過程受HO·產生的速率控制;O3的引入可以實現催化劑的有效再生,研究發現O3-Fe2.5Ti0.5O4催化氧化體系具有反應速率快、循環氧化效果好的優點。3、對于具有一定自由基猝滅效果的苯酚類芳香族化合物,H2O2-Fe3O4和H2O2-Fe2.5Ti0.5O4催化氧化體系由于表面催化產生的HO·活性較低而處理效果很差;通過吸附-共沉淀-煅燒的方法在無定形SiO2上負載Fe3O4,利用SiO2對于HO·的穩定作用,提高了催化氧化活性;進一步利用O3和H2O2-Fe3O4/SiO2體系之間的協同作用,實現了中性情況下對于苯酚類化合物的有效降解;通過高效液相色譜(HPLC)對于苯酚降解產物的分析探討了可能的氧化降解過程;考察了O3-Fe3O4/SiO2-H2O2體系催化氧化苯酚水樣的可生化性,初步研究了化學氧化-生物法聯用技術的可行性。
【圖文】:
方面導帶電子和價帶空穴可W遷移到催化劑表面發生化學反應。其中空穴可LNB和逡逑比0或H0-反應生成H0',導帶上電子被02捕獲后生成超氧自由基陰離子,化逡逑和H0是光催化氧化過程中主要的氧化劑,其大致示意圖如圖1.2所示[24’25】:逡逑/邋ij邐_V邋0=?.邐0!,逡逑\邋I邋!邋j-HX)逡逑V逡逑邐^邋+逡逑Photoca^lyst逡逑圖1.2半導體表面光催化過程示意圖口4-25]逡逑Figure邋1.2邋Schematic邋diagram邋of邋phol;ocatalytic邋process邋acting邋on邋化e邋semiconduc化r逡逑photocatalyst邋口4’邋25】逡逑Catalyst邋+邋hv邋一邋6化-+邋hvb+邐(1.1)逡逑Cci)-邋+邋hvb+邋一邋heat邐(1.2)逡逑Ccb'邋+邋02邋一■邋+0邋2_'邐(1.3)逡逑hvb+邋+邋0H(H20)邋—邋OHads邐(1.4)逡逑常用的光催化劑有Ti02、ZnO、ZnS、W03、CdS、M0S2、Fe203等,其中逡逑Ti02具有無毒、性質穩定和價格相對低廉等優點
方面導帶電子和價帶空穴可W遷移到催化劑表面發生化學反應。其中空穴可LNB和逡逑比0或H0-反應生成H0',導帶上電子被02捕獲后生成超氧自由基陰離子,,化逡逑和H0是光催化氧化過程中主要的氧化劑,其大致示意圖如圖1.2所示[24’25】:逡逑/邋ij邐_V邋0=?.邐0!,逡逑\邋I邋!邋j-HX)逡逑V逡逑邐^邋+逡逑Photoca^lyst逡逑圖1.2半導體表面光催化過程示意圖口4-25]逡逑Figure邋1.2邋Schematic邋diagram邋of邋phol;ocatalytic邋process邋acting邋on邋化e邋semiconduc化r逡逑photocatalyst邋口4’邋25】逡逑Catalyst邋+邋hv邋一邋6化-+邋hvb+邐(1.1)逡逑Cci)-邋+邋hvb+邋一邋heat邐(1.2)逡逑Ccb'邋+邋02邋一■邋+0邋2_'邐(1.3)逡逑hvb+邋+邋0H(H20)邋—邋OHads邐(1.4)逡逑常用的光催化劑有Ti02、ZnO、ZnS、W03、CdS、M0S2、Fe203等,其中逡逑Ti02具有無毒、性質穩定和價格相對低廉等優點
【學位授予單位】:浙江大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:X703;O643.36
【圖文】:
方面導帶電子和價帶空穴可W遷移到催化劑表面發生化學反應。其中空穴可LNB和逡逑比0或H0-反應生成H0',導帶上電子被02捕獲后生成超氧自由基陰離子,化逡逑和H0是光催化氧化過程中主要的氧化劑,其大致示意圖如圖1.2所示[24’25】:逡逑/邋ij邐_V邋0=?.邐0!,逡逑\邋I邋!邋j-HX)逡逑V逡逑邐^邋+逡逑Photoca^lyst逡逑圖1.2半導體表面光催化過程示意圖口4-25]逡逑Figure邋1.2邋Schematic邋diagram邋of邋phol;ocatalytic邋process邋acting邋on邋化e邋semiconduc化r逡逑photocatalyst邋口4’邋25】逡逑Catalyst邋+邋hv邋一邋6化-+邋hvb+邐(1.1)逡逑Cci)-邋+邋hvb+邋一邋heat邐(1.2)逡逑Ccb'邋+邋02邋一■邋+0邋2_'邐(1.3)逡逑hvb+邋+邋0H(H20)邋—邋OHads邐(1.4)逡逑常用的光催化劑有Ti02、ZnO、ZnS、W03、CdS、M0S2、Fe203等,其中逡逑Ti02具有無毒、性質穩定和價格相對低廉等優點
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【學位授予單位】:浙江大學
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【分類號】:X703;O643.36
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10 郭國瑞;袁們
本文編號:2606060
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